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Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

Ieee Transactions On Device And Materials ReliabilitySCIE

國際簡稱:IEEE T DEVICE MAT RE  參考譯名:IEEE Transactions on Device and Materials Reliability

  • 中科院分區(qū)

    3區(qū)

  • CiteScore分區(qū)

    Q2

  • JCR分區(qū)

    Q2

基本信息:
ISSN:1530-4388
E-ISSN:1558-2574
是否OA:未開放
是否預警:否
TOP期刊:否
出版信息:
出版地區(qū):UNITED STATES
出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版語言:English
出版周期:Quarterly
出版年份:2001
研究方向:工程技術-工程:電子與電氣
評價信息:
影響因子:2.5
H-index:63
CiteScore指數(shù):4.8
SJR指數(shù):0.436
SNIP指數(shù):1.148
發(fā)文數(shù)據(jù):
Gold OA文章占比:24.52%
研究類文章占比:97.22%
年發(fā)文量:72
自引率:0.05
開源占比:0.057
出版撤稿占比:0
出版國人文章占比:0.14
OA被引用占比:0
英文簡介 期刊介紹 CiteScore數(shù)據(jù) 中科院SCI分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文數(shù)據(jù) 常見問題

英文簡介Ieee Transactions On Device And Materials Reliability期刊介紹

The scope of the publication includes, but is not limited to Reliability of: Devices, Materials, Processes, Interfaces, Integrated Microsystems (including MEMS & Sensors), Transistors, Technology (CMOS, BiCMOS, etc.), Integrated Circuits (IC, SSI, MSI, LSI, ULSI, ELSI, etc.), Thin Film Transistor Applications. The measurement and understanding of the reliability of such entities at each phase, from the concept stage through research and development and into manufacturing scale-up, provides the overall database on the reliability of the devices, materials, processes, package and other necessities for the successful introduction of a product to market. This reliability database is the foundation for a quality product, which meets customer expectation. A product so developed has high reliability. High quality will be achieved because product weaknesses will have been found (root cause analysis) and designed out of the final product. This process of ever increasing reliability and quality will result in a superior product. In the end, reliability and quality are not one thing; but in a sense everything, which can be or has to be done to guarantee that the product successfully performs in the field under customer conditions. Our goal is to capture these advances. An additional objective is to focus cross fertilized communication in the state of the art of reliability of electronic materials and devices and provide fundamental understanding of basic phenomena that affect reliability. In addition, the publication is a forum for interdisciplinary studies on reliability. An overall goal is to provide leading edge/state of the art information, which is critically relevant to the creation of reliable products.

期刊簡介Ieee Transactions On Device And Materials Reliability期刊介紹

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》自2001出版以來,是一本工程技術優(yōu)秀雜志。致力于發(fā)表原創(chuàng)科學研究結果,并為工程技術各個領域的原創(chuàng)研究提供一個展示平臺,以促進工程技術領域的的進步。該刊鼓勵先進的、清晰的闡述,從廣泛的視角提供當前感興趣的研究主題的新見解,或?qū)彶槎嗄陙砟硞€重要領域的所有重要發(fā)展。該期刊特色在于及時報道工程技術領域的最新進展和新發(fā)現(xiàn)新突破等。該刊近一年未被列入預警期刊名單,目前已被權威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄,得到了廣泛的認可。

該期刊投稿重要關注點:

Cite Score數(shù)據(jù)(2024年最新版)Ieee Transactions On Device And Materials Reliability Cite Score數(shù)據(jù)

  • CiteScore:4.8
  • SJR:0.436
  • SNIP:1.148
學科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 65 / 207

68%

大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 274 / 797

65%

大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 103 / 284

63%

CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價期刊影響力的文獻計量指標。反映出一家期刊近期發(fā)表論文的年篇均引用次數(shù)。CiteScore以Scopus數(shù)據(jù)庫中收集的引文為基礎,針對的是前四年發(fā)表的論文的引文。CiteScore的意義在于,它可以為學術界提供一種新的、更全面、更客觀地評價期刊影響力的方法,而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標來評價。

歷年Cite Score趨勢圖

中科院SCI分區(qū)Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 中科院分區(qū)

中科院 2023年12月升級版 綜述期刊:否 Top期刊:否
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū)
工程技術 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區(qū) 3區(qū)

中科院分區(qū)表 是以客觀數(shù)據(jù)為基礎,運用科學計量學方法對國際、國內(nèi)學術期刊依據(jù)影響力進行等級劃分的期刊評價標準。它為我國科研、教育機構的管理人員、科研工作者提供了一份評價國際學術期刊影響力的參考數(shù)據(jù),得到了全國各地高校、科研機構的廣泛認可。

中科院分區(qū)表 將所有期刊按照一定指標劃分為1區(qū)、2區(qū)、3區(qū)、4區(qū)四個層次,類似于“優(yōu)、良、及格”等。最開始,這個分區(qū)只是為了方便圖書管理及圖書情報領域的研究和期刊評估。之后中科院分區(qū)逐步發(fā)展成為了一種評價學術期刊質(zhì)量的重要工具。

歷年中科院分區(qū)趨勢圖

JCR分區(qū)Ieee Transactions On Device And Materials Reliability JCR分區(qū)

2023-2024 年最新版
按JIF指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352

53.3%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179

51.7%

按JCI指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 354

47.6%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 99 / 179

44.97%

JCR分區(qū)的優(yōu)勢在于它可以幫助讀者對學術文獻質(zhì)量進行評估。不同學科的文章引用量可能存在較大的差異,此時單獨依靠影響因子(IF)評價期刊的質(zhì)量可能是存在一定問題的。因此,JCR將期刊按照學科門類和影響因子分為不同的分區(qū),這樣讀者可以根據(jù)自己的研究領域和需求選擇合適的期刊。

歷年影響因子趨勢圖

發(fā)文數(shù)據(jù)

2023-2024 年國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計
  • 國家/地區(qū)數(shù)量
  • USA52
  • CHINA MAINLAND51
  • India50
  • Taiwan35
  • France20
  • Italy18
  • Belgium15
  • Austria14
  • Japan13
  • GERMANY (FED REP GER)12

本刊中國學者近年發(fā)表論文

  • 1、Improved Charge-Trapping Characteristics of ZrO 2 by Al Doping for Nonvolatile Memory Applications

    Author: eexdhuang

    Journal: IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2016.

  • 2、Prediction of NBTI Degradation in Dynamic Voltage Frequency Scaling Operations

    Author: xjli

    Journal: IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2016.

投稿常見問題

通訊方式:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

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